창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VB60170G-E3/8W | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Packaging Information VB60170G | |
제품 교육 모듈 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers | |
비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | TMBS® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 170V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 30A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.02V @ 30A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 450µA @ 170V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | VB60170G-E3/8WGITR VB60170GE38W | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VB60170G-E3/8W | |
관련 링크 | VB60170G, VB60170G-E3/8W 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | DSC9G02D0L | TRANS NPN 30V 0.015A SSMINI3 | DSC9G02D0L.pdf | |
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![]() | RE1206DRE07402KL | RES SMD 402K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RE1206DRE07402KL.pdf | |
![]() | IMN32188M12 | Inductive Proximity Sensor 0.315" (8mm) IP67 Cylinder, Threaded - M18 | IMN32188M12.pdf | |
![]() | HD14517BP | HD14517BP HIT DIP16 | HD14517BP.pdf | |
![]() | R4S76190W125BGV | R4S76190W125BGV RENESAS SMD or Through Hole | R4S76190W125BGV.pdf | |
![]() | MAX6804US46D2-T | MAX6804US46D2-T MAXIM SOT143 | MAX6804US46D2-T.pdf | |
![]() | CLLE1AX7S0G155MT00 | CLLE1AX7S0G155MT00 TDK SMD or Through Hole | CLLE1AX7S0G155MT00.pdf | |
![]() | AR1313 | AR1313 N/A SMD or Through Hole | AR1313.pdf | |
![]() | AP2191MPG | AP2191MPG DIODES MSOP | AP2191MPG.pdf | |
![]() | PT6522L | PT6522L ptc qfp | PT6522L.pdf | |
![]() | 7918 ST | 7918 ST ST SMD or Through Hole | 7918 ST.pdf |