창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VB40100C-E3/4W | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | V(F,B,I)40100C Packaging Information | |
| 제품 교육 모듈 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers | |
| 비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
| 카탈로그 페이지 | 1652 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | TMBS® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 20A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 730mV @ 20A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 100V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | VB40100C-E3/4WGI VB40100CE34W | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VB40100C-E3/4W | |
| 관련 링크 | VB40100C, VB40100C-E3/4W 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | S1008-182J | 1.8µH Shielded Inductor 435mA 600 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | S1008-182J.pdf | |
![]() | 60A18-4-060S | ENCODER OPT 4POS JOYSTICK 6"CBL | 60A18-4-060S.pdf | |
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![]() | FP10R12W1T3 | FP10R12W1T3 EUPEC 10A1200VPIM | FP10R12W1T3.pdf | |
![]() | RNM1FB4.7-OHM-J | RNM1FB4.7-OHM-J NOBLE SMD or Through Hole | RNM1FB4.7-OHM-J.pdf | |
![]() | 4-292132-3 | 4-292132-3 ORIGINAL SMD or Through Hole | 4-292132-3.pdf | |
![]() | IRF6001 | IRF6001 IR QFN | IRF6001.pdf |