창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VB30200C-E3/8W | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Packaging Information V(F,B,I)30200C | |
| 제품 교육 모듈 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers | |
| 비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | 0982661063 Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | TMBS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 15A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 15A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 160µA @ 200V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | VB30200C-E3/8W-ND VB30200CE38W | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VB30200C-E3/8W | |
| 관련 링크 | VB30200C, VB30200C-E3/8W 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | Y006038R6100B0L | RES 38.61 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | Y006038R6100B0L.pdf | |
![]() | AD1321KZ | AD1321KZ AD SOP16 | AD1321KZ.pdf | |
![]() | CS44L11-CZZR | CS44L11-CZZR CIR Call | CS44L11-CZZR.pdf | |
![]() | PMF5D11-100M | PMF5D11-100M CN CD54 | PMF5D11-100M.pdf | |
![]() | 47C443DM-1E16 | 47C443DM-1E16 TOSHIBA TSSOP-30 | 47C443DM-1E16.pdf | |
![]() | D72001G-A8-3B6 | D72001G-A8-3B6 NEC QFP-52 | D72001G-A8-3B6.pdf | |
![]() | 1M0380 | 1M0380 FSC TO-220-4 | 1M0380.pdf | |
![]() | TL3843P//TI | TL3843P//TI TI SMD or Through Hole | TL3843P//TI.pdf | |
![]() | VCR4N | VCR4N MOT CAN3 | VCR4N.pdf | |
![]() | D70615GD-16 | D70615GD-16 NEC QFP | D70615GD-16.pdf | |
![]() | G17226GT | G17226GT NEC SMD or Through Hole | G17226GT.pdf | |
![]() | M34580M2-128FP | M34580M2-128FP RENESAS SMD or Through Hole | M34580M2-128FP.pdf |