창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VB20100S-E3/8W | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | V(x)20100S Packaging Information | |
| 제품 교육 모듈 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers | |
| 비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
| PCN 조립/원산지 | DD-018-2014 Rev. 0 05/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1654 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | TMBS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 20A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 20A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500µA @ 100V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 작동 온도 - 접합 | -40°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | VB20100S-E3/8WGITR VB20100SE38W | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VB20100S-E3/8W | |
| 관련 링크 | VB20100S, VB20100S-E3/8W 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | SYV6414AD | SYV6414AD ORIGINAL QFP | SYV6414AD.pdf | |
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![]() | C012296D-03 | C012296D-03 ORIGINAL DIP40 | C012296D-03.pdf | |
![]() | LTC2483IDD#PBF | LTC2483IDD#PBF LT SMD or Through Hole | LTC2483IDD#PBF.pdf |