창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VB20100S-E3/8W | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | V(x)20100S Packaging Information | |
제품 교육 모듈 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers | |
비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
PCN 조립/원산지 | DD-018-2014 Rev. 0 05/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1654 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | TMBS® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
전류 -평균 정류(Io) | 20A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 20A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500µA @ 100V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
작동 온도 - 접합 | -40°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | VB20100S-E3/8WGITR VB20100SE38W | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VB20100S-E3/8W | |
관련 링크 | VB20100S, VB20100S-E3/8W 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
AD8594A | AD8594A AD SOP-16 | AD8594A.pdf | ||
UPD78P356GC-7EA | UPD78P356GC-7EA NEC SMD or Through Hole | UPD78P356GC-7EA.pdf | ||
MM1Z24/5N | MM1Z24/5N ST SOD-123 | MM1Z24/5N.pdf | ||
400KXW56M12.5X35 | 400KXW56M12.5X35 RUBYCON DIP | 400KXW56M12.5X35.pdf | ||
HSMS-2800(A0F) | HSMS-2800(A0F) AGILENT SOT23 | HSMS-2800(A0F).pdf | ||
LM 317 D2 | LM 317 D2 ST SMD or Through Hole | LM 317 D2.pdf | ||
ATE1F-2M3-10-Z | ATE1F-2M3-10-Z ORIGINAL SMD or Through Hole | ATE1F-2M3-10-Z.pdf | ||
T5C8D | T5C8D SanRex TO-252 | T5C8D.pdf | ||
C0402C104Z4VAC7867 | C0402C104Z4VAC7867 ORIGINAL SMD or Through Hole | C0402C104Z4VAC7867.pdf | ||
PIC30F6012-30I/PF | PIC30F6012-30I/PF MICROCHIP TQFP64 | PIC30F6012-30I/PF.pdf | ||
1GZ61 | 1GZ61 TOSHIBA SMD or Through Hole | 1GZ61.pdf | ||
ISL6566CRZA | ISL6566CRZA INTERSIL QFN | ISL6566CRZA.pdf |