창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-VA1T1EF6060 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | VA1T1EF6060 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | VA1T1EF6060 | |
관련 링크 | VA1T1E, VA1T1EF6060 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
GQM1875C2E1R0BB12D | 1pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GQM1875C2E1R0BB12D.pdf | ||
BFC2370EC683 | 0.068µF Film Capacitor 63V 250V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | BFC2370EC683.pdf | ||
PD0120.113NLT | 12.2µH Unshielded Wirewound Inductor 7.6A 16 mOhm Max Nonstandard | PD0120.113NLT.pdf | ||
CD74HC40103E | CD74HC40103E HAR DIP | CD74HC40103E.pdf | ||
3P80F9XZZ-QZR9 | 3P80F9XZZ-QZR9 SAMSUNG QFP | 3P80F9XZZ-QZR9.pdf | ||
C1608X5R0J106MT000N | C1608X5R0J106MT000N TDK SMD or Through Hole | C1608X5R0J106MT000N.pdf | ||
AT90S4433-4AI | AT90S4433-4AI AT QFP | AT90S4433-4AI.pdf | ||
WWWF7N60 | WWWF7N60 WISDOM TO-9220 | WWWF7N60.pdf | ||
ROS-425-319 | ROS-425-319 MINI SMD or Through Hole | ROS-425-319.pdf | ||
BC87C-5C | BC87C-5C CJ SOT-23 | BC87C-5C.pdf | ||
FZ3 | FZ3 ORIGINAL SMD or Through Hole | FZ3.pdf | ||
K4E160412C-BL50 | K4E160412C-BL50 SAMSUNG SOJ | K4E160412C-BL50.pdf |