창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-V8ZA05PX2855 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 1,500 | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Littelfuse Inc. | |
계열 | ZA | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 6V | |
배리스터 전압(통상) | 8.5V | |
배리스터 전압(최대) | 11V | |
전류 - 서지 | 50A | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 4VAC | |
최대 DC 전압 | 5.5VDC | |
에너지 | 0.10J | |
패키지/케이스 | 5mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | V8ZA05PX2855 | |
관련 링크 | V8ZA05P, V8ZA05PX2855 데이터 시트, Littelfuse Inc. 에이전트 유통 |
![]() | ATS221BSM-1E | 22.1184MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS221BSM-1E.pdf | |
![]() | SIT8008BI-21-33E-40.000000D | OSC XO 3.3V 40MHZ OE | SIT8008BI-21-33E-40.000000D.pdf | |
![]() | AISC-0603-R10G-T | 100nH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 660 mOhm Max Nonstandard | AISC-0603-R10G-T.pdf | |
![]() | RCP0603B390RJS2 | RES SMD 390 OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603B390RJS2.pdf | |
RSMF12JT1K30 | RES MO 1/2W 1.3K OHM 5% AXIAL | RSMF12JT1K30.pdf | ||
![]() | M1-6436/883 | M1-6436/883 HARRAS CDIP | M1-6436/883.pdf | |
![]() | ADOC836 | ADOC836 AD QFP | ADOC836.pdf | |
![]() | BT151-500L | BT151-500L PHI TO-220 | BT151-500L.pdf | |
![]() | UPG2010TB-EVAL | UPG2010TB-EVAL NEC/CEL SMD or Through Hole | UPG2010TB-EVAL.pdf | |
![]() | 10L12-02470C-01 | 10L12-02470C-01 NHMA SMD or Through Hole | 10L12-02470C-01.pdf | |
![]() | MA79 | MA79 Mat SOD-323 | MA79.pdf | |
![]() | 0RZZTTA002E | 0RZZTTA002E ORIGINAL SMD or Through Hole | 0RZZTTA002E.pdf |