창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-V82ZA4P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZA Series | |
제품 교육 모듈 | Metal Oxide Varistors | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Littelfuse Inc. | |
계열 | ZA | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 73.8V | |
배리스터 전압(통상) | 82V | |
배리스터 전압(최대) | 90.2V | |
전류 - 서지 | 2.5kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 50VAC | |
최대 DC 전압 | 68VDC | |
에너지 | 8.0J | |
패키지/케이스 | 10mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | V82ZA4P-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | V82ZA4P | |
관련 링크 | V82Z, V82ZA4P 데이터 시트, Littelfuse Inc. 에이전트 유통 |
06123C104MAT2V | 0.10µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0612(1632 미터법) 0.063" L x 0.126" W(1.60mm x 3.20mm) | 06123C104MAT2V.pdf | ||
ATS640ASM-1E | 64MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS640ASM-1E.pdf | ||
13089EESD+ | 13089EESD+ MAX SOP-14 | 13089EESD+.pdf | ||
KBU1006G | KBU1006G ORIGINAL SMD or Through Hole | KBU1006G.pdf | ||
CJ3420 R20 N 20V | CJ3420 R20 N 20V CJ SOT-23 | CJ3420 R20 N 20V.pdf | ||
NJM2531V(TE1) | NJM2531V(TE1) JRC SSOP | NJM2531V(TE1).pdf | ||
629-0030 | 629-0030 MIDTEX/TYCO SMD or Through Hole | 629-0030.pdf | ||
XB93 | XB93 TQ SMD or Through Hole | XB93.pdf | ||
A5Y-H-048SE | A5Y-H-048SE SHINMEI DIP-SOP | A5Y-H-048SE.pdf | ||
MAX6642ETT90 | MAX6642ETT90 MAXIM DFN-6 | MAX6642ETT90.pdf | ||
B82724-A2102-N1 | B82724-A2102-N1 SIE SMD or Through Hole | B82724-A2102-N1.pdf | ||
UPD75P10BCW | UPD75P10BCW NEC N A | UPD75P10BCW.pdf |