창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-V68ZA20P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZA Series | |
| 제품 교육 모듈 | Metal Oxide Varistors Varistor UL1449 3rd Edition Safety Agency Update | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | Littelfuse Inc. | |
| 계열 | ZA | |
| 포장 | 벌크 | |
| 배리스터 전압 | 61.2V | |
| 배리스터 전압(통상) | 68V | |
| 배리스터 전압(최대) | 74.8V | |
| 전류 - 서지 | 2kA | |
| 회로 개수 | 1 | |
| 최대 AC 전압 | 40VAC | |
| 최대 DC 전압 | 56VDC | |
| 에너지 | 33J | |
| 패키지/케이스 | 20mm 디스크 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | F3776 V68ZA20P-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | V68ZA20P | |
| 관련 링크 | V68Z, V68ZA20P 데이터 시트, Littelfuse Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | NLV32T-3R9J-EFD | 3.9µH Unshielded Wirewound Inductor 250mA 1.3 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | NLV32T-3R9J-EFD.pdf | |
![]() | MBA02040C3573FCT00 | RES 357K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C3573FCT00.pdf | |
![]() | ST62T03M6HWD | ST62T03M6HWD ST SMD or Through Hole | ST62T03M6HWD.pdf | |
![]() | ZMM3Z13V | ZMM3Z13V ST 1206 | ZMM3Z13V.pdf | |
![]() | MSC43Q436F60DS9/M5117400F60S | MSC43Q436F60DS9/M5117400F60S OKI SIMM | MSC43Q436F60DS9/M5117400F60S.pdf | |
![]() | 2RF740PBF | 2RF740PBF TO-AB VISHAY | 2RF740PBF.pdf | |
![]() | TNCA0G156MTRF | TNCA0G156MTRF HITACHI SMD or Through Hole | TNCA0G156MTRF.pdf | |
![]() | TEA1P5-24S15 | TEA1P5-24S15 P-DUKE SMD or Through Hole | TEA1P5-24S15.pdf | |
![]() | LTC2844IG | LTC2844IG LT SOP | LTC2844IG.pdf | |
![]() | 43SA | 43SA ORIGINAL SOT163 | 43SA.pdf | |
![]() | W191-192 | W191-192 ICS TSSOP16 | W191-192.pdf | |
![]() | PBY1608T-601Y-S | PBY1608T-601Y-S YAGEO SMD or Through Hole | PBY1608T-601Y-S.pdf |