창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-V660LT80CP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | C-III Varistor Series | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Littelfuse Inc. | |
계열 | C-III | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
배리스터 전압 | 972V | |
배리스터 전압(통상) | 1080V(1.08kV) | |
배리스터 전압(최대) | 1188V(1.188kV) | |
전류 - 서지 | 10kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 660VAC | |
최대 DC 전압 | - | |
에너지 | 510J | |
패키지/케이스 | 20mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 200 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | V660LT80CP | |
관련 링크 | V660LT, V660LT80CP 데이터 시트, Littelfuse Inc. 에이전트 유통 |
![]() | SMCJ17CA-HRAT7 | TVS DIODE 17VWM 27.6VC | SMCJ17CA-HRAT7.pdf | |
![]() | 425F35E024M0000 | 24MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 425F35E024M0000.pdf | |
![]() | 416F26035CSR | 26MHz ±30ppm 수정 시리즈 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26035CSR.pdf | |
![]() | 103-560JS | 56nH Unshielded Inductor 760mA 170 mOhm Max 2-SMD | 103-560JS.pdf | |
![]() | SMF2820RJT | RES SMD 820 OHM 5% 2W 2616 | SMF2820RJT.pdf | |
![]() | MCW0406MD3321BP100 | RES SMD 3.32K OHM 1/4W 0604 WIDE | MCW0406MD3321BP100.pdf | |
![]() | PHP00603E11R3BST1 | RES SMD 11.3 OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E11R3BST1.pdf | |
![]() | C55845-002 | C55845-002 Foxconn N A | C55845-002.pdf | |
![]() | SAWEN1G84BEOF26R1S | SAWEN1G84BEOF26R1S ORIGINAL SMD or Through Hole | SAWEN1G84BEOF26R1S.pdf | |
![]() | PS5042-2 | PS5042-2 stanley DIP-2 | PS5042-2.pdf | |
![]() | LDKB | LDKB ORIGINAL SMD | LDKB.pdf | |
![]() | CA430411 | CA430411 ORIGINAL SOP | CA430411.pdf |