창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-V660LA100BP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | LA Varistor Series | |
| 제품 교육 모듈 | Metal Oxide Varistors | |
| 카탈로그 페이지 | 2354 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | Littelfuse Inc. | |
| 계열 | LA | |
| 포장 | 벌크 | |
| 배리스터 전압 | 940V | |
| 배리스터 전압(통상) | 1020V(1.02kV) | |
| 배리스터 전압(최대) | 1100V(1.1kV) | |
| 전류 - 서지 | 6.5kA | |
| 회로 개수 | 1 | |
| 최대 AC 전압 | 660VAC | |
| 최대 DC 전압 | 850VDC | |
| 에너지 | 250J | |
| 패키지/케이스 | 20mm 디스크 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 표준 포장 | 400 | |
| 다른 이름 | F3045 V660LA100BP-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | V660LA100BP | |
| 관련 링크 | V660LA, V660LA100BP 데이터 시트, Littelfuse Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | LB2518T6R8MV | 6.8µH Wirewound Inductor 195mA 195 mOhm Max 1007 (2518 Metric) | LB2518T6R8MV.pdf | |
![]() | THS15R05J | RES CHAS MNT 0.05 OHM 5% 15W | THS15R05J.pdf | |
![]() | FDV0603-4R7M=P3 | FDV0603-4R7M=P3 TOKO SMD | FDV0603-4R7M=P3.pdf | |
![]() | AM85C30-10BQA | AM85C30-10BQA AMD CDIP | AM85C30-10BQA.pdf | |
![]() | N11M-GE1-S-B1 | N11M-GE1-S-B1 NVIDIA SMD or Through Hole | N11M-GE1-S-B1.pdf | |
![]() | RCU00000D | RCU00000D ORIGINAL SMD or Through Hole | RCU00000D.pdf | |
![]() | GS7116S5-3P3-R | GS7116S5-3P3-R GSTEK SOT23-5 | GS7116S5-3P3-R.pdf | |
![]() | TC74VHC00 SSOP | TC74VHC00 SSOP TOSHIBA SMD or Through Hole | TC74VHC00 SSOP.pdf | |
![]() | HD64F2238FA13 | HD64F2238FA13 HITACHI QFP | HD64F2238FA13.pdf | |
![]() | PM6650CD90-V9925-IL | PM6650CD90-V9925-IL QUALLOMM QFN | PM6650CD90-V9925-IL.pdf | |
![]() | ME8117A | ME8117A ORIGINAL SO-08 | ME8117A.pdf | |
![]() | ISP1561BM/G | ISP1561BM/G NXP SMD or Through Hole | ISP1561BM/G.pdf |