창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-V620ZU05P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | Littelfuse Inc. | |
| 계열 | ZU | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 배리스터 전압 | 558V | |
| 배리스터 전압(통상) | 620V | |
| 배리스터 전압(최대) | 682V | |
| 전류 - 서지 | 400A | |
| 회로 개수 | 1 | |
| 최대 AC 전압 | 385VAC | |
| 최대 DC 전압 | 505VDC | |
| 에너지 | 13J | |
| 패키지/케이스 | 5mm 디스크 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | V620ZU05P | |
| 관련 링크 | V620Z, V620ZU05P 데이터 시트, Littelfuse Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | 8Z-38.400MEEQ-T | 38.4MHz ±10ppm 수정 10pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Z-38.400MEEQ-T.pdf | |
![]() | SR271A101KAT | SR271A101KAT AVX DIP | SR271A101KAT.pdf | |
![]() | GRM1883U1H120JZ01D | GRM1883U1H120JZ01D MURATA SMD or Through Hole | GRM1883U1H120JZ01D.pdf | |
![]() | P2011 | P2011 ORIGINAL DIP16 | P2011.pdf | |
![]() | TCSCS1D106KBAR | TCSCS1D106KBAR SAMSUNG SMD | TCSCS1D106KBAR.pdf | |
![]() | TLP721-1GB | TLP721-1GB TOSHIBA DIP-4 SOP-4 | TLP721-1GB.pdf | |
![]() | EFCH1842TDAI | EFCH1842TDAI PANASONIC SMD | EFCH1842TDAI.pdf | |
![]() | TXAUTD | TXAUTD ST SMD | TXAUTD.pdf | |
![]() | WR268481-20 | WR268481-20 WINBOND DIP-28 | WR268481-20.pdf | |
![]() | M74HCT244-1FP | M74HCT244-1FP ORIGINAL SMD or Through Hole | M74HCT244-1FP.pdf | |
![]() | PQ05RD21J00H | PQ05RD21J00H SHARP TO220F-4 | PQ05RD21J00H.pdf | |
![]() | SI4210-B-XM/R | SI4210-B-XM/R SILICONIX SMD or Through Hole | SI4210-B-XM/R.pdf |