창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-V60D100C-M3/I | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Packaging Information V60D100C-M3, V60D100CHM3 | |
| 제품 교육 모듈 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers | |
| PCN 조립/원산지 | DD-009-2015-Rev-0 09/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | eSMP®, TMBS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 30A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 810mV @ 30A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 120V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드 + 탭) 변형 | |
| 공급 장치 패키지 | SMPD | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | V60D100C-M3/IGITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | V60D100C-M3/I | |
| 관련 링크 | V60D100, V60D100C-M3/I 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 20KPA216-B | TVS DIODE 216VWM 365.4VC P600 | 20KPA216-B.pdf | |
![]() | TE1200B39RJ | RES CHAS MNT 39 OHM 5% 1200W | TE1200B39RJ.pdf | |
![]() | 3629TM/883 | 3629TM/883 BB DIP | 3629TM/883.pdf | |
![]() | 1A4601/A02 | 1A4601/A02 ORIGINAL SOP24W | 1A4601/A02.pdf | |
![]() | ILC7280AR3333X | ILC7280AR3333X FSC MSOP-8 | ILC7280AR3333X.pdf | |
![]() | LQW15CN18NG00D | LQW15CN18NG00D MURATA SMD | LQW15CN18NG00D.pdf | |
![]() | CRD89C51RD-40-QG | CRD89C51RD-40-QG CYROD QFP44 | CRD89C51RD-40-QG.pdf | |
![]() | MAX5143EUA+T | MAX5143EUA+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX5143EUA+T.pdf | |
![]() | L485S | L485S ST DIP-16 | L485S.pdf | |
![]() | CNY7-2 | CNY7-2 ORIGINAL DIP | CNY7-2.pdf | |
![]() | GSDR32P-180K | GSDR32P-180K ORIGINAL SMD | GSDR32P-180K.pdf |