창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-V510LT80BPX2855 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 400 | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Littelfuse Inc. | |
계열 | LT | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
배리스터 전압 | 738V | |
배리스터 전압(통상) | 799V | |
배리스터 전압(최대) | 860V | |
전류 - 서지 | 6.5kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 510VAC | |
최대 DC 전압 | 675VDC | |
에너지 | 190J | |
패키지/케이스 | 20mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | V510LT80BPX2855 | |
관련 링크 | V510LT80B, V510LT80BPX2855 데이터 시트, Littelfuse Inc. 에이전트 유통 |
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![]() | SD20-102-R | 1mH Shielded Wirewound Inductor 172mA 8.73 Ohm Nonstandard | SD20-102-R.pdf | |
![]() | ERJ-S1DF1500U | RES SMD 150 OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF1500U.pdf | |
![]() | 1755503V0 | 1755503V0 PHOENIX SMD or Through Hole | 1755503V0.pdf | |
![]() | TLN231F | TLN231F TOSHIBA 5Q3 | TLN231F.pdf | |
![]() | KTY83 | KTY83 NXP DO-204AG | KTY83.pdf | |
![]() | BM07B-XASS-TF(LF)(SN) | BM07B-XASS-TF(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | BM07B-XASS-TF(LF)(SN).pdf | |
![]() | 33.86M | 33.86M ORIGINAL SMD or Through Hole | 33.86M.pdf | |
![]() | 74LVC16374APVG8 | 74LVC16374APVG8 IDT SMD or Through Hole | 74LVC16374APVG8.pdf | |
![]() | AT528BR1662T | AT528BR1662T ATMEL QFN | AT528BR1662T.pdf | |
![]() | SZ10E8 | SZ10E8 VISHVISHAY/ST/GSAY SMD DIP | SZ10E8.pdf | |
![]() | IVN5000ANE | IVN5000ANE Intersil TO-92 | IVN5000ANE.pdf |