창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-V421DA40 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DA, DB Series | |
| 제품 교육 모듈 | Varistor UL1449 3rd Edition Safety Agency Update | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | Littelfuse Inc. | |
| 계열 | DA | |
| 포장 | 벌크 | |
| 배리스터 전압 | 612V | |
| 배리스터 전압(통상) | 680V | |
| 배리스터 전압(최대) | 748V | |
| 전류 - 서지 | 40kA | |
| 회로 개수 | 1 | |
| 최대 AC 전압 | 420VAC | |
| 최대 DC 전압 | 560VDC | |
| 에너지 | 600J | |
| 패키지/케이스 | 피복형 디스크 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 표준 포장 | 12 | |
| 다른 이름 | F5404 V421DA40-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | V421DA40 | |
| 관련 링크 | V421, V421DA40 데이터 시트, Littelfuse Inc. 에이전트 유통 | |
| AT-10.000MAHE-T | 10MHz ±30ppm 수정 12pF 80옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-10.000MAHE-T.pdf | ||
![]() | IRFR9220PBF | MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK | IRFR9220PBF.pdf | |
![]() | AS3611-BDFP-B | AS3611-BDFP-B AMS SMD or Through Hole | AS3611-BDFP-B.pdf | |
![]() | K30-Y | K30-Y FSC TO-92 | K30-Y.pdf | |
![]() | RT1N440T | RT1N440T MITSUBISHI SOT-923 | RT1N440T.pdf | |
![]() | 1206B682K500CG | 1206B682K500CG ORIGINAL SMD or Through Hole | 1206B682K500CG.pdf | |
![]() | OF6065 | OF6065 ORIGINAL DIP8 | OF6065.pdf | |
![]() | NC7SZ00L6X_F012 | NC7SZ00L6X_F012 FAIRCHILD MAC06A | NC7SZ00L6X_F012.pdf | |
![]() | D78F3107CAJ | D78F3107CAJ NEC QFP | D78F3107CAJ.pdf | |
![]() | EE2-12NFX | EE2-12NFX NEC SMD or Through Hole | EE2-12NFX.pdf | |
![]() | H11CX534 | H11CX534 GE DIP-6 | H11CX534.pdf |