창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-V320LT7PX1347 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 1,000 | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Littelfuse Inc. | |
계열 | LT | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
배리스터 전압 | 459V | |
배리스터 전압(통상) | 510V | |
배리스터 전압(최대) | 561V | |
전류 - 서지 | 1.2kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 320VAC | |
최대 DC 전압 | 420VDC | |
에너지 | 25J | |
패키지/케이스 | 7mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | V320LT7PX1347 | |
관련 링크 | V320LT7, V320LT7PX1347 데이터 시트, Littelfuse Inc. 에이전트 유통 |
![]() | LD035A270KAB2A | 27pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | LD035A270KAB2A.pdf | |
![]() | RCH664NP-3R3M | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 2.83A 30.8 mOhm Max Radial | RCH664NP-3R3M.pdf | |
DRA125-820-R | 82µH Shielded Wirewound Inductor 2.005A 135 mOhm Nonstandard | DRA125-820-R.pdf | ||
![]() | 814101A-80 | 814101A-80 FUJITSU SMD or Through Hole | 814101A-80.pdf | |
![]() | nanoSMDM110 | nanoSMDM110 ORIGINAL 6V-1.1A | nanoSMDM110.pdf | |
![]() | TN820-600B | TN820-600B ST TO-252 | TN820-600B.pdf | |
![]() | K7N163631B-PC25 | K7N163631B-PC25 SAMSUNG PQFP | K7N163631B-PC25.pdf | |
![]() | LE28C1001AT-12 | LE28C1001AT-12 SANYO TSOP | LE28C1001AT-12.pdf | |
![]() | 35854-2017 | 35854-2017 MOLEX SMD or Through Hole | 35854-2017.pdf | |
![]() | MM5218G32J01 | MM5218G32J01 ORIGINAL BGA | MM5218G32J01.pdf | |
![]() | AHA4501 | AHA4501 AHA SMD or Through Hole | AHA4501.pdf | |
![]() | LM2703MFX-ADJ S48B | LM2703MFX-ADJ S48B NS SOT23 5 | LM2703MFX-ADJ S48B.pdf |