창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-V20E625PL3T7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ULtraMOV Varistor Series | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Littelfuse Inc. | |
계열 | UltraMOV™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
배리스터 전압 | 900V | |
배리스터 전압(통상) | 1000V(1kV) | |
배리스터 전압(최대) | 1100V(1.1kV) | |
전류 - 서지 | 10kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 625VAC | |
최대 DC 전압 | 825VDC | |
에너지 | 400J | |
패키지/케이스 | 20mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 400 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | V20E625PL3T7 | |
관련 링크 | V20E625, V20E625PL3T7 데이터 시트, Littelfuse Inc. 에이전트 유통 |
![]() | 416F38422ALT | 38.4MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38422ALT.pdf | |
![]() | NTB6410ANT4G | MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK | NTB6410ANT4G.pdf | |
![]() | CRGV2010F2M32 | RES SMD 2.32M OHM 1% 1/2W 2010 | CRGV2010F2M32.pdf | |
![]() | CMF555K3690CHBF | RES 5.369K OHM 1/2W 0.25% AXIAL | CMF555K3690CHBF.pdf | |
![]() | CW01051K00KE12 | RES 51K OHM 13W 10% AXIAL | CW01051K00KE12.pdf | |
![]() | 0603 120R | 0603 120R ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603 120R.pdf | |
![]() | HC9P5509B-5/B3999 | HC9P5509B-5/B3999 HARRIS SO-28 | HC9P5509B-5/B3999.pdf | |
![]() | S1J-LT | S1J-LT MCC DO-214AASMB | S1J-LT.pdf | |
![]() | 74ACT32N MOT 96+ | 74ACT32N MOT 96+ MOT DIP14 | 74ACT32N MOT 96+.pdf | |
![]() | 83454 | 83454 N/A DIP-8 | 83454.pdf | |
![]() | MGF4953B | MGF4953B ORIGINAL SMD or Through Hole | MGF4953B.pdf | |
![]() | LM4431M3-2.5 NOPB | LM4431M3-2.5 NOPB NS SOT23 | LM4431M3-2.5 NOPB.pdf |