창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-V20E510PL2T1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ULtraMOV Varistor Series | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | Littelfuse Inc. | |
| 계열 | UltraMOV™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 배리스터 전압 | 738V | |
| 배리스터 전압(통상) | 820V | |
| 배리스터 전압(최대) | 902V | |
| 전류 - 서지 | 10kA | |
| 회로 개수 | 1 | |
| 최대 AC 전압 | 510VAC | |
| 최대 DC 전압 | 670VDC | |
| 에너지 | 365J | |
| 패키지/케이스 | 20mm 디스크 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 표준 포장 | 400 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | V20E510PL2T1 | |
| 관련 링크 | V20E510, V20E510PL2T1 데이터 시트, Littelfuse Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | MG1250W-XBN2MM | IGBT MOD 1200V 50A PKG W CRCT:XB | MG1250W-XBN2MM.pdf | |
![]() | MLF1005G1R0JT | 1µH Shielded Multilayer Inductor 40mA 640 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MLF1005G1R0JT.pdf | |
![]() | RGC0603FTD9K31 | RES SMD 9.31K OHM 1% 1/10W 0603 | RGC0603FTD9K31.pdf | |
![]() | RT0805BRE0768R1L | RES SMD 68.1 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRE0768R1L.pdf | |
![]() | CMF55370K00BHEA | RES 370K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF55370K00BHEA.pdf | |
![]() | 5333KZ | 5333KZ CRYSTAL TSSOP | 5333KZ .pdf | |
![]() | 2SA1216-P | 2SA1216-P SANKEN MT-200 | 2SA1216-P.pdf | |
![]() | CLH2012T-R27K-S | CLH2012T-R27K-S ORIGINAL SMD or Through Hole | CLH2012T-R27K-S.pdf | |
![]() | LY-T-0060 | LY-T-0060 ORIGINAL SMD or Through Hole | LY-T-0060.pdf | |
![]() | P74LVC4066BQ | P74LVC4066BQ NXP QFN14 | P74LVC4066BQ.pdf | |
![]() | LM7805G TO-220 | LM7805G TO-220 UTC SMD or Through Hole | LM7805G TO-220.pdf |