창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-V20200C-E3/4W | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | V(F,B,I)20200C Packaging Information | |
제품 교육 모듈 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers | |
비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | TMBS® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 10A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.6V @ 10A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 150µA @ 200V | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | V20200C-E3/4W-ND V20200C-E3/4WGI | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | V20200C-E3/4W | |
관련 링크 | V20200C, V20200C-E3/4W 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 08051U3R0BAT2A | 3pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08051U3R0BAT2A.pdf | |
![]() | R2033T-E2-F | R2033T-E2-F RICHO SMD or Through Hole | R2033T-E2-F.pdf | |
![]() | K5D1G57ACM-A090 | K5D1G57ACM-A090 SAMSUNG BGA | K5D1G57ACM-A090.pdf | |
![]() | DQHGQ | DQHGQ ORIGINAL BGA | DQHGQ.pdf | |
![]() | B41821-A8476-M | B41821-A8476-M EPCOS SMD | B41821-A8476-M.pdf | |
![]() | PT7M6128CHTA3EX | PT7M6128CHTA3EX PERICOM SOT23-3 | PT7M6128CHTA3EX.pdf | |
![]() | ABS10-32.768KHZ-9 | ABS10-32.768KHZ-9 ABRACON SMD or Through Hole | ABS10-32.768KHZ-9.pdf | |
![]() | GS1GE-T(MCC) | GS1GE-T(MCC) MCC SMD or Through Hole | GS1GE-T(MCC).pdf | |
![]() | RD15ES-AB2-T1 | RD15ES-AB2-T1 NEC SMD or Through Hole | RD15ES-AB2-T1.pdf | |
![]() | XC95144XLTMTQ100AWN | XC95144XLTMTQ100AWN XILINX SMD or Through Hole | XC95144XLTMTQ100AWN.pdf | |
![]() | CDBA5822 | CDBA5822 COMCHIP DO214AB | CDBA5822.pdf | |
![]() | SGM8903YTS14 | SGM8903YTS14 SGM TSSOP-14 | SGM8903YTS14.pdf |