창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-V131AW | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | V131AW | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOT-223 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | V131AW | |
| 관련 링크 | V13, V131AW 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 450MXG220MEFCSN30X30 | 220µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 450MXG220MEFCSN30X30.pdf | |
![]() | VJ0402D100KXCAP | 10pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D100KXCAP.pdf | |
![]() | ABM10AIG-48.000MHZ-J4Z-T3 | 48MHz ±30ppm 수정 10pF 40옴 -40°C ~ 105°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM10AIG-48.000MHZ-J4Z-T3.pdf | |
![]() | MLF2012A2R7M | 2.7µH Shielded Multilayer Inductor 50mA 550 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012A2R7M.pdf | |
![]() | BZX585-B5V1+135 | BZX585-B5V1+135 NXP SMD or Through Hole | BZX585-B5V1+135.pdf | |
![]() | GMT112B-BW | GMT112B-BW ORIGINAL SMD or Through Hole | GMT112B-BW.pdf | |
![]() | M5M231000-110P | M5M231000-110P MIT DIP | M5M231000-110P.pdf | |
![]() | HI-15530CLM | HI-15530CLM HOLT LCC | HI-15530CLM.pdf | |
![]() | Z86.8MWA | Z86.8MWA HITACHI SOT-323 | Z86.8MWA.pdf | |
![]() | RCB8C223J508A | RCB8C223J508A ALP SMD or Through Hole | RCB8C223J508A.pdf | |
![]() | 1DI150MA-050 | 1DI150MA-050 FUJI 50A 450V 1U | 1DI150MA-050.pdf | |
![]() | LV7845DEW-100.0M | LV7845DEW-100.0M PLETRONICS SMD | LV7845DEW-100.0M.pdf |