창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-V130LXR100 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | Littelfuse Inc. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 배리스터 전압 | - | |
| 배리스터 전압(통상) | - | |
| 배리스터 전압(최대) | - | |
| 전류 - 서지 | - | |
| 회로 개수 | - | |
| 최대 AC 전압 | - | |
| 최대 DC 전압 | - | |
| 에너지 | - | |
| 패키지/케이스 | 방사 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | V130LXR100 | |
| 관련 링크 | V130LX, V130LXR100 데이터 시트, Littelfuse Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | 416F25022IKT | 25MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25022IKT.pdf | |
![]() | IRFI640GPBF | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP | IRFI640GPBF.pdf | |
![]() | Y1496350R000A9W | RES SMD 350 OHM 0.05% 0.15W 1206 | Y1496350R000A9W.pdf | |
![]() | CRCW08052M43FKEB | RES SMD 2.43M OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08052M43FKEB.pdf | |
![]() | M28W160CT-70E | M28W160CT-70E ST BGA | M28W160CT-70E.pdf | |
![]() | MB90F004-E1 | MB90F004-E1 FUJITSU QFP48 | MB90F004-E1.pdf | |
![]() | hcnw1458 | hcnw1458 Ramtron SOP-28 | hcnw1458.pdf | |
![]() | QS52806ZQTSO | QS52806ZQTSO IDT SMD or Through Hole | QS52806ZQTSO.pdf | |
![]() | SSB44-680FN | SSB44-680FN ORIGINAL SMD or Through Hole | SSB44-680FN.pdf | |
![]() | FQP3P35 | FQP3P35 FSC TO-220 | FQP3P35.pdf | |
![]() | LSC6668N | LSC6668N ORIGINAL SMD or Through Hole | LSC6668N.pdf |