창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-V12P10-M3/86A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | V12P10 Packaging Information | |
| 제품 교육 모듈 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers | |
| PCN 조립/원산지 | DD-009-2015-Rev-0 09/Mar/2015 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1654 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | eSMP®, TMBS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 12A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 700mV @ 12A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 250µA @ 100V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-277, 3-PowerDFN | |
| 공급 장치 패키지 | TO-277A(SMPC) | |
| 작동 온도 - 접합 | -40°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | V12P10-M3/86AGITR V12P10M386A | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | V12P10-M3/86A | |
| 관련 링크 | V12P10-, V12P10-M3/86A 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | SD3112-470-R | 47µH Shielded Wirewound Inductor 270mA 1.85 Ohm Nonstandard | SD3112-470-R.pdf | |
![]() | 66F085-0407 | THERMOSTAT 85 DEG NO 8-DIP | 66F085-0407.pdf | |
![]() | AD7572-12 | AD7572-12 AD DIP | AD7572-12.pdf | |
![]() | TVA0700N03S | TVA0700N03S EMC SMD or Through Hole | TVA0700N03S.pdf | |
![]() | AVR-M14A2C2 | AVR-M14A2C2 TDK SMD or Through Hole | AVR-M14A2C2.pdf | |
![]() | WD1991C24AZZ08 | WD1991C24AZZ08 UDC PQFP | WD1991C24AZZ08.pdf | |
![]() | R270CH02FSO | R270CH02FSO WESTCODE MODULE | R270CH02FSO.pdf | |
![]() | 74HC7030N | 74HC7030N PHILIPS DIP28 | 74HC7030N.pdf | |
![]() | SG-615HC1 | SG-615HC1 EPSON 40.0000M | SG-615HC1.pdf | |
![]() | CMZ36(TE12L,Q) | CMZ36(TE12L,Q) TOSHIBA SMD or Through Hole | CMZ36(TE12L,Q).pdf |