창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-V120ZS05P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZA Series | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Littelfuse Inc. | |
계열 | ZS | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
배리스터 전압 | 108V | |
배리스터 전압(통상) | 120V | |
배리스터 전압(최대) | 132V | |
전류 - 서지 | 400A | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 75VAC | |
최대 DC 전압 | 102VDC | |
에너지 | 3.0J | |
패키지/케이스 | 5mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | V120ZS05P | |
관련 링크 | V120Z, V120ZS05P 데이터 시트, Littelfuse Inc. 에이전트 유통 |
B41851A5478M | 4700µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 80 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | B41851A5478M.pdf | ||
![]() | FDG315N | MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6 | FDG315N.pdf | |
![]() | R5510H024D-TI | R5510H024D-TI RICOH SMD or Through Hole | R5510H024D-TI.pdf | |
![]() | PTZ11ATE25 | PTZ11ATE25 ROHM (SOD-106) | PTZ11ATE25.pdf | |
![]() | TC74HCT273AP | TC74HCT273AP TOSHIBA DIP-20 | TC74HCT273AP.pdf | |
![]() | HVC2512M1006LB | HVC2512M1006LB OHMCRAFT SMD or Through Hole | HVC2512M1006LB.pdf | |
![]() | HB-1L1608-9R0JT | HB-1L1608-9R0JT CTC SMD | HB-1L1608-9R0JT.pdf | |
![]() | HU42D391MCXPF | HU42D391MCXPF HIT SMD or Through Hole | HU42D391MCXPF.pdf | |
![]() | LA38W-125/EG-PF | LA38W-125/EG-PF LIGITEK ROHS | LA38W-125/EG-PF.pdf | |
![]() | MAX198BCWIT | MAX198BCWIT NA NA | MAX198BCWIT.pdf | |
![]() | RT0805ART071K4L | RT0805ART071K4L YAGEO SMD | RT0805ART071K4L.pdf | |
![]() | D6453CY 526 | D6453CY 526 NEC DIP | D6453CY 526.pdf |