창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-V10P10-M3/86A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | V10P10 Packaging Information | |
| 제품 교육 모듈 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers | |
| PCN 조립/원산지 | DD-009-2015-Rev-0 09/Mar/2015 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1654 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | eSMP®, TMBS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 10A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 680mV @ 10A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 150µA @ 100V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-277, 3-PowerDFN | |
| 공급 장치 패키지 | TO-277A(SMPC) | |
| 작동 온도 - 접합 | -40°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | V10P10-M3/86AGITR V10P10M386A | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | V10P10-M3/86A | |
| 관련 링크 | V10P10-, V10P10-M3/86A 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D270FXXAP | 27pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D270FXXAP.pdf | |
![]() | 1532AA | 1532AA ON DFN-10 | 1532AA.pdf | |
![]() | R3121 | R3121 ORIGINAL QFN | R3121.pdf | |
![]() | A22W-2AR-24A-10 | A22W-2AR-24A-10 Omron SMD or Through Hole | A22W-2AR-24A-10.pdf | |
![]() | DP104 | DP104 F SMD or Through Hole | DP104.pdf | |
![]() | CL10B472MB6NXNB | CL10B472MB6NXNB SAMSUNG 4k reel | CL10B472MB6NXNB.pdf | |
![]() | NSPC183G1RB1 | NSPC183G1RB1 NIPPON SMD or Through Hole | NSPC183G1RB1.pdf | |
![]() | M29W320DT90N6 | M29W320DT90N6 ST TSOP48 | M29W320DT90N6.pdf | |
![]() | FDS7094N3 | FDS7094N3 FSC SOP8 | FDS7094N3.pdf | |
![]() | MB62H106P | MB62H106P HITACHI SMD or Through Hole | MB62H106P.pdf | |
![]() | TOP234PN/TOP234P | TOP234PN/TOP234P POWER DIP | TOP234PN/TOP234P.pdf |