창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-V1000LA80APX2855 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | LA Varistor Series | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Littelfuse Inc. | |
계열 | LA | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 1500V(1.5kV) | |
배리스터 전압(통상) | 1650V(1.65kV) | |
배리스터 전압(최대) | 1800V(1.8kV) | |
전류 - 서지 | 4.5kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 1000VAC | |
최대 DC 전압 | 1200VDC | |
에너지 | 220J | |
패키지/케이스 | 14mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | V1000LA80APX2855 | |
관련 링크 | V1000LA80, V1000LA80APX2855 데이터 시트, Littelfuse Inc. 에이전트 유통 |
NRD686M06R12 | NRD686M06R12 NEC D | NRD686M06R12.pdf | ||
1206 X7R 333 K 101NT | 1206 X7R 333 K 101NT ORIGINAL SMD or Through Hole | 1206 X7R 333 K 101NT.pdf | ||
M25V1-Z | M25V1-Z TCL DIP | M25V1-Z.pdf | ||
UPD65101GD-169 | UPD65101GD-169 NEC SMD or Through Hole | UPD65101GD-169.pdf | ||
S1206-V-3AGP | S1206-V-3AGP ORIGINAL SMD or Through Hole | S1206-V-3AGP.pdf | ||
9007-05-00(0T0-0039 | 9007-05-00(0T0-0039 NAIS SMD or Through Hole | 9007-05-00(0T0-0039.pdf | ||
D44325362F5-E40-EQ2 | D44325362F5-E40-EQ2 NEC BGA | D44325362F5-E40-EQ2.pdf | ||
G8P-1C4TP DC110V | G8P-1C4TP DC110V OMRON SMD or Through Hole | G8P-1C4TP DC110V.pdf | ||
2010 1% 220R | 2010 1% 220R SUPEROHM SMD or Through Hole | 2010 1% 220R.pdf | ||
SISC0,3N06D | SISC0,3N06D Infineon SMD or Through Hole | SISC0,3N06D.pdf | ||
KB926QF-D3 | KB926QF-D3 NEN TQFP | KB926QF-D3.pdf | ||
K4D55323F-GC33 | K4D55323F-GC33 SAMSUNG BGA | K4D55323F-GC33.pdf |