창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-UVP1C330MDD1TD | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | UVP Series Lead Type Taping Spec | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Nichicon | |
계열 | UVP | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
정전 용량 | 33µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 16V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 양극 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 70mA | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.079"(2.00mm) | |
크기/치수 | 0.197" Dia(5.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.492"(12.50mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 493-12684-3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | UVP1C330MDD1TD | |
관련 링크 | UVP1C330, UVP1C330MDD1TD 데이터 시트, Nichicon 에이전트 유통 |
FDS86140 | MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC | FDS86140.pdf | ||
1062A | 1062A UTC SMD | 1062A.pdf | ||
EMA2016 | EMA2016 EMP SOP-16 | EMA2016.pdf | ||
HIF3BA-10D-2.54R | HIF3BA-10D-2.54R Hirose SMD or Through Hole | HIF3BA-10D-2.54R.pdf | ||
24LC01BH-I/P | 24LC01BH-I/P Microchip DIP-8 | 24LC01BH-I/P.pdf | ||
PIC10F202TI/OT | PIC10F202TI/OT MICROCHIP SOT | PIC10F202TI/OT.pdf | ||
IE0510 | IE0510 ORIGINAL SMD or Through Hole | IE0510.pdf | ||
CNR-20D220K | CNR-20D220K CNR DIP | CNR-20D220K.pdf | ||
BC32840TA | BC32840TA FAIRCHILD SMD or Through Hole | BC32840TA.pdf | ||
E201J1V7QE | E201J1V7QE HYX SMD or Through Hole | E201J1V7QE.pdf | ||
VA708PJ | VA708PJ VTCINC SMD or Through Hole | VA708PJ.pdf | ||
W536120T2V01 | W536120T2V01 Winbond SMD or Through Hole | W536120T2V01.pdf |