창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-UTC4N60L-A- | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | UTC4N60L-A- | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | UTC4N60L-A- | |
관련 링크 | UTC4N6, UTC4N60L-A- 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
DHG10I1800PA | DIODE GEN PURP 1.8KV 10A TO220AC | DHG10I1800PA.pdf | ||
![]() | CDRH2D16LDNP-3R9NC | 3.9µH Shielded Inductor 1.6A 75 mOhm Max Nonstandard | CDRH2D16LDNP-3R9NC.pdf | |
![]() | 2500-60J | 4.7mH Unshielded Molded Inductor 59mA 48 Ohm Max Axial | 2500-60J.pdf | |
![]() | HM66A-07286R8MLF13 | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 71 mOhm Max Nonstandard | HM66A-07286R8MLF13.pdf | |
![]() | RMCF0603JT18M0 | RES SMD 18M OHM 5% 1/10W 0603 | RMCF0603JT18M0.pdf | |
![]() | ERJ-L1DUF79MU | RES SMD 0.079 OHM 1% 1/2W 2010 | ERJ-L1DUF79MU.pdf | |
![]() | S5D2501F08-DO | S5D2501F08-DO SAMSUNG DIP-24 | S5D2501F08-DO.pdf | |
![]() | NL252018T-R15K-N | NL252018T-R15K-N TDK SMD | NL252018T-R15K-N.pdf | |
![]() | BFG197(V5p) | BFG197(V5p) PHILIPS SOT143 | BFG197(V5p).pdf | |
![]() | S1ZMMBZ5242BLT1G | S1ZMMBZ5242BLT1G ONSemiconductor SMD or Through Hole | S1ZMMBZ5242BLT1G.pdf | |
![]() | TNMP91C640N | TNMP91C640N TOSHIBA DIP | TNMP91C640N.pdf | |
![]() | C1-5512D | C1-5512D ORIGINAL DIP | C1-5512D.pdf |