창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-USS820B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | USS820B | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | QFP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | USS820B | |
| 관련 링크 | USS8, USS820B 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | C0402C120D5GACTU | 12pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C120D5GACTU.pdf | |
![]() | 170M5882 | FUSE 250A 690V DIN 2 GR | 170M5882.pdf | |
![]() | SIT1602ACT1-28E | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 4.5mA Enable/Disable | SIT1602ACT1-28E.pdf | |
![]() | SMBG5346BE3/TR13 | DIODE ZENER 9.1V 5W SMBG | SMBG5346BE3/TR13.pdf | |
![]() | VN3205N8-G | MOSFET N-CH 50V 1.5A SOT89-3 | VN3205N8-G.pdf | |
![]() | NRS6012T5R3MMGJV | 5.3µH Shielded Wirewound Inductor 1.55A 150 mOhm Max Nonstandard | NRS6012T5R3MMGJV.pdf | |
![]() | LFSC25N26B0847BAH-957 | LFSC25N26B0847BAH-957 MURATA SMD | LFSC25N26B0847BAH-957.pdf | |
![]() | S1M8822X01-R0T0 | S1M8822X01-R0T0 SAMSUNG SMD or Through Hole | S1M8822X01-R0T0.pdf | |
![]() | TLP781BL(TLP521-1BL) | TLP781BL(TLP521-1BL) TOSHIBA DIP-4 | TLP781BL(TLP521-1BL).pdf | |
![]() | ILH100 | ILH100 SIEMENS DIP8 | ILH100.pdf | |
![]() | 1SS200(F) | 1SS200(F) TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SS200(F).pdf |