창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-USA0J470MDD | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | USA, USR Series Chip Type Tape Spec Aluminum Electrolytic Land, Reflow | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Nichicon | |
계열 | USA | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 47µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 6.3V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 50mA @ 120Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.079"(2.00mm) | |
크기/치수 | 0.197" Dia(5.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.315"(8.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
표준 포장 | 200 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | USA0J470MDD | |
관련 링크 | USA0J4, USA0J470MDD 데이터 시트, Nichicon 에이전트 유통 |
![]() | C2012X7R1H102M | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X7R1H102M.pdf | |
![]() | 2890-44H | 120µH Unshielded Molded Inductor 219mA 4.1 Ohm Max Axial | 2890-44H.pdf | |
![]() | IS61C512-12JL | IS61C512-12JL ISSI SOJ | IS61C512-12JL.pdf | |
![]() | TS432CT | TS432CT TAIWAN TO-92 | TS432CT.pdf | |
![]() | MC10E175FNG | MC10E175FNG ON PLCC28 | MC10E175FNG.pdf | |
![]() | 64C1024AL-15KA3 | 64C1024AL-15KA3 ISSI SOJ | 64C1024AL-15KA3.pdf | |
![]() | B58306 | B58306 PHILIPS SSOP16 | B58306.pdf | |
![]() | 576802B03100 | 576802B03100 WAK SMD or Through Hole | 576802B03100.pdf | |
![]() | 74ACT821MTC | 74ACT821MTC NATIONALSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | 74ACT821MTC.pdf | |
![]() | MCM01-001ED680J | MCM01-001ED680J NULL SMD or Through Hole | MCM01-001ED680J.pdf | |
![]() | XC4452XLTQ240C-6257 | XC4452XLTQ240C-6257 XILINX QFP | XC4452XLTQ240C-6257.pdf | |
![]() | VT1001SBE | VT1001SBE AOLTRR BGA-50 | VT1001SBE.pdf |