창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-US6X5TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | US6X5 | |
| 카탈로그 페이지 | 1640 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 2A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 12V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 180mV @ 50mA, 1A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 270 @ 200mA, 2V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 360MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TUMT6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | US6X5TR | |
| 관련 링크 | US6X, US6X5TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | TR3E336M025C0200 | 33µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2917 (7343 Metric) 200 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TR3E336M025C0200.pdf | |
![]() | 445A33E20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A33E20M00000.pdf | |
![]() | AC0201JR-0756RL | RES SMD 56 OHM 5% 1/20W 0201 | AC0201JR-0756RL.pdf | |
![]() | CRCW0402536KFKTD | RES SMD 536K OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW0402536KFKTD.pdf | |
![]() | 596Z | 596Z INERSIL QFN10 | 596Z.pdf | |
![]() | 2SD2406-Y(S4LUCAS) | 2SD2406-Y(S4LUCAS) TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SD2406-Y(S4LUCAS).pdf | |
![]() | DH0008CH | DH0008CH VISHAY SMD or Through Hole | DH0008CH.pdf | |
![]() | Z17 | Z17 ORIGINAL SOT-23 | Z17.pdf | |
![]() | 28F256J3C-125 | 28F256J3C-125 INTEL BGA | 28F256J3C-125.pdf | |
![]() | 4.000MHZHC-18 | 4.000MHZHC-18 EQZ SMD or Through Hole | 4.000MHZHC-18.pdf | |
![]() | U.FL-LP(V)-040 | U.FL-LP(V)-040 HRS SMD or Through Hole | U.FL-LP(V)-040.pdf |