창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-US6K4TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | US6K4 | |
주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 110pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | TUMT6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | US6K4TR | |
관련 링크 | US6K, US6K4TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | TZMB51-GS18 | DIODE ZENER 51V 500MW SOD80 | TZMB51-GS18.pdf | |
![]() | MM4617AN/BN | MM4617AN/BN NSC DIP | MM4617AN/BN.pdf | |
![]() | AT28C256E-25LM/883C 5962-8852505YA | AT28C256E-25LM/883C 5962-8852505YA N/A LCC | AT28C256E-25LM/883C 5962-8852505YA.pdf | |
![]() | MD1724F11VC-B | MD1724F11VC-B AMBIENT TQFP | MD1724F11VC-B.pdf | |
![]() | SM2S-05D | SM2S-05D IDEC SMD or Through Hole | SM2S-05D.pdf | |
![]() | 33650 | 33650 MURR SMD or Through Hole | 33650.pdf | |
![]() | RCPXA270C0C316 | RCPXA270C0C316 INTEL PBGA | RCPXA270C0C316.pdf | |
![]() | M30240M5-113FP | M30240M5-113FP MIT QFP | M30240M5-113FP.pdf | |
![]() | D4020BC.. | D4020BC.. NEC DIP | D4020BC...pdf | |
![]() | SM10PCR024 | SM10PCR024 WESTCODE STUD | SM10PCR024.pdf | |
![]() | SKIIP11NAB1 | SKIIP11NAB1 FUJI SMD or Through Hole | SKIIP11NAB1.pdf | |
![]() | QG82001MCH/Q134ES | QG82001MCH/Q134ES INTER SMD or Through Hole | QG82001MCH/Q134ES.pdf |