창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-US6K1TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | US6K1 | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| 카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.2nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 80pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TUMT6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | US6K1TR | |
| 관련 링크 | US6K, US6K1TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RCL1225430KFKEG | RES SMD 430K OHM 2W 2512 WIDE | RCL1225430KFKEG.pdf | |
![]() | NKN400JR-73-27R | RES 27 OHM 4W 5% AXIAL | NKN400JR-73-27R.pdf | |
![]() | MSP1BR4700J | MSP1BR4700J VISHAY SMD or Through Hole | MSP1BR4700J.pdf | |
![]() | 963V | 963V ORIGINAL QFN | 963V.pdf | |
![]() | MASWSS0039TR-3000 | MASWSS0039TR-3000 M/A-COM ROHS | MASWSS0039TR-3000.pdf | |
![]() | XC2VP30-4FFG1152I | XC2VP30-4FFG1152I XILINX BGA | XC2VP30-4FFG1152I.pdf | |
![]() | CS0806U | CS0806U CITRUSCOM SMD or Through Hole | CS0806U.pdf | |
![]() | PSCQ-2-120 | PSCQ-2-120 MINI SMD or Through Hole | PSCQ-2-120.pdf | |
![]() | NAND256W3AOBE06 | NAND256W3AOBE06 ST BGA | NAND256W3AOBE06.pdf | |
![]() | MTW32N50 | MTW32N50 ORIGINAL TO-3P | MTW32N50.pdf | |
![]() | CHB5D-433BA-C | CHB5D-433BA-C National NULL | CHB5D-433BA-C.pdf | |
![]() | 54S241/B2A | 54S241/B2A S QFN | 54S241/B2A.pdf |