창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-US6J11TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | US6J11 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.3A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 260m옴 @ 1.3A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.4nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 290pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 320mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | UMT6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | US6J11TR | |
| 관련 링크 | US6J, US6J11TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | AT0402BRD079K09L | RES SMD 9.09KOHM 0.1% 1/16W 0402 | AT0402BRD079K09L.pdf | |
![]() | PHP00805H75R9BST1 | RES SMD 75.9 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805H75R9BST1.pdf | |
![]() | PEF20525F-V1.3 | PEF20525F-V1.3 INFINEON SMD or Through Hole | PEF20525F-V1.3.pdf | |
![]() | Model:SS-DL016 | Model:SS-DL016 ORIGINAL SMD or Through Hole | Model:SS-DL016.pdf | |
![]() | TDA16888. | TDA16888. INFINEON DIP20 | TDA16888..pdf | |
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![]() | PS9115-F4 | PS9115-F4 NEC SOIC-5 | PS9115-F4.pdf | |
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![]() | SCL1062V4 | SCL1062V4 nsc SMD or Through Hole | SCL1062V4.pdf | |
![]() | SC9103647 | SC9103647 ALP SMD or Through Hole | SC9103647.pdf | |
![]() | B45197A6336K509 | B45197A6336K509 EPCOS SMD | B45197A6336K509.pdf |