창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-US1G-E3/5AT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | US1A-1M Packaging Information | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 400V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 1A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 50ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 400V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-214AC(SMA) | |
| 작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 7,500 | |
| 다른 이름 | US1G-E3/5AT-ND US1GE35AT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | US1G-E3/5AT | |
| 관련 링크 | US1G-E, US1G-E3/5AT 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| T58W9476M6R3C0150 | 47µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 6.3V 0805 (2012 Metric) 150 mOhm 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) | T58W9476M6R3C0150.pdf | ||
![]() | LB2012T100MR | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 120mA 500 mOhm 0805 (2012 Metric) | LB2012T100MR.pdf | |
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![]() | XXV | XXV ORIGINAL SMD or Through Hole | XXV.pdf | |
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![]() | BYW07-50R | BYW07-50R ST DO-5 | BYW07-50R.pdf | |
![]() | RSB7837V-2.5 | RSB7837V-2.5 ORIGINAL SMD or Through Hole | RSB7837V-2.5.pdf | |
![]() | LQH55DN4R7M03K | LQH55DN4R7M03K ORIGINAL SMD or Through Hole | LQH55DN4R7M03K.pdf | |
![]() | 2SB109A | 2SB109A ORIGINAL CAN | 2SB109A.pdf | |
![]() | ANT312 | ANT312 ORIGINAL DIP-14 | ANT312.pdf | |
![]() | TMZM85DAM23GG | TMZM85DAM23GG AMD PGA | TMZM85DAM23GG.pdf |