창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-US1G-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | US1A - US1M | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 400V | |
전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 1A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 50ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 400V | |
정전 용량 @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
공급 장치 패키지 | SMA | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | US1GDITR US1GTR US1GTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | US1G-13 | |
관련 링크 | US1G, US1G-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | VJ0402D1R5CXBAC | 1.5pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R5CXBAC.pdf | |
![]() | VJ1210A150KXRAT5ZL | 15pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | VJ1210A150KXRAT5ZL.pdf | |
![]() | CS325S24975000ABJT | 24.975MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CS325S24975000ABJT.pdf | |
![]() | PL680-39QC-A0 | PL680-39QC-A0 PhaseLin SMD or Through Hole | PL680-39QC-A0.pdf | |
![]() | 56701002LI | 56701002LI SPECTRUMCONTROL ORIGINAL | 56701002LI.pdf | |
![]() | STC89LE54AD-90I-PQFP | STC89LE54AD-90I-PQFP STC QFP | STC89LE54AD-90I-PQFP.pdf | |
![]() | K4J1032KE-HC1A | K4J1032KE-HC1A ORIGINAL QFP | K4J1032KE-HC1A.pdf | |
![]() | FP-2R5ME331M | FP-2R5ME331M Fujitsu SMD | FP-2R5ME331M.pdf | |
![]() | ZURMG55W-8 | ZURMG55W-8 SUNLED SMD | ZURMG55W-8.pdf | |
![]() | 1SV214-- | 1SV214-- TOSHIBA SOD-323 0805 | 1SV214--.pdf | |
![]() | AD916 | AD916 ORIGINAL TSSOP | AD916.pdf | |
![]() | SG2812J/883B | SG2812J/883B LINFINITY CDIP | SG2812J/883B.pdf |