창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-US1G-13-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | US1A - US1M | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 조립/원산지 | SMA,SMB,SMC Additional Assembly Site 17/Oct/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1592 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 400V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 1A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 50ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 400V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
| 공급 장치 패키지 | SMA | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | US1G-FDITR US1G13F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | US1G-13-F | |
| 관련 링크 | US1G-, US1G-13-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
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![]() | V53C16129HK40 | V53C16129HK40 ORIGINAL SOJ | V53C16129HK40.pdf | |
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![]() | HYB39S256800DT-7 | HYB39S256800DT-7 Infineon SMD or Through Hole | HYB39S256800DT-7.pdf | |
![]() | K4S643232F-TC60/MT 48LC2M32B2 | K4S643232F-TC60/MT 48LC2M32B2 ORIGINAL SMD or Through Hole | K4S643232F-TC60/MT 48LC2M32B2.pdf | |
![]() | GRM42-602X7R332J50 1206-332J | GRM42-602X7R332J50 1206-332J MURATA SMD or Through Hole | GRM42-602X7R332J50 1206-332J.pdf |