Nichicon URS2AR33MDD
URS2AR33MDD 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 110.30955
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 URS2AR33MDD 재고가 있습니다. 우리는 Nichicon 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Nichicon 전자 부품 전문. URS2AR33MDD 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. URS2AR33MDD가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- URS2AR33MDD 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
URS2AR33MDD 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-URS2AR33MDD | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | URS Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | Nichicon | |
| 계열 | URS | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 0.33µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 100V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 6.5mA @ 120Hz | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | 0.079"(2.00mm) | |
| 크기/치수 | 0.197" Dia(5.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.413"(10.50mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
| 표준 포장 | 200 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | URS2AR33MDD | |
| 관련 링크 | URS2AR, URS2AR33MDD 데이터 시트, Nichicon 에이전트 유통 | |
URS2AR33MDD 의 관련 제품
 | 416F27133ADT | 27.12MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27133ADT.pdf | |
 | PM1608S-330M-RC | 33µH Shielded Wirewound Inductor 600mA 190 mOhm Max Nonstandard | PM1608S-330M-RC.pdf | |
| HM62256LFP15T | HM62256LFP15T HIT SOIC | HM62256LFP15T.pdf | |
| LM340T12/7812 | LM340T12/7812 N TO-220 | LM340T12/7812.pdf | |
| 74HCT85DB | 74HCT85DB ph INSTOCKPACK78tu | 74HCT85DB.pdf | |
| MATT1822ACJ | MATT1822ACJ LUENT DIP28 | MATT1822ACJ.pdf | |
| RM735006 | RM735006 ORIGINAL DIP | RM735006.pdf | |
| KRA116M | KRA116M KEC TO-92M | KRA116M.pdf | |
| KBC23S302R | KBC23S302R ORIGINAL SMD or Through Hole | KBC23S302R.pdf | |
| ECWH20112HVB | ECWH20112HVB PANASONIC DIP | ECWH20112HVB.pdf | |
| KET511 | KET511 KODENSHI ROHS | KET511.pdf |