창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UPT33/TR7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | UPT(B) 5-48 Series | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 1 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 33V | |
| 전압 - 항복(최소) | 36.8V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 56.7V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 2.65A | |
| 전력 - 피크 펄스 | 1000W(1kW) | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-216AA | |
| 공급 장치 패키지 | Powermite 1(DO216-AA) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | UPT33/TR7 | |
| 관련 링크 | UPT33, UPT33/TR7 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 04025A1R2BAT2A | 1.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04025A1R2BAT2A.pdf | |
![]() | 445C35J24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 9pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C35J24M57600.pdf | |
![]() | NTLJD3115PT1G | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN | NTLJD3115PT1G.pdf | |
![]() | 26PCFFS6G | Pressure Sensor ±100 PSI (±689.48 kPa) Compound 0 mV ~ 100 mV (10V) 4-SIP Module | 26PCFFS6G.pdf | |
![]() | UC1699 | UC1699 NA QFP | UC1699.pdf | |
![]() | G92-426-B2 | G92-426-B2 NVIDIA BGA | G92-426-B2.pdf | |
![]() | 1M25D | 1M25D FREESCALE QFPBGA | 1M25D.pdf | |
![]() | TEL4271-2S | TEL4271-2S INF SMD or Through Hole | TEL4271-2S.pdf | |
![]() | BSM15GD120DN | BSM15GD120DN ORIGINAL SMD or Through Hole | BSM15GD120DN.pdf | |
![]() | 2MBI400U4H-120-05 | 2MBI400U4H-120-05 FUJI SMD or Through Hole | 2MBI400U4H-120-05.pdf | |
![]() | TLE2071AMJG | TLE2071AMJG TI DIP | TLE2071AMJG.pdf | |
![]() | ISL95818HRTZ-TS2568 | ISL95818HRTZ-TS2568 ORIGINAL SMD or Through Hole | ISL95818HRTZ-TS2568.pdf |