창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-UPJ1E680MED | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | UPJ Series Lead Type Taping Spec | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Nichicon | |
계열 | UPJ | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 68µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 25V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 2000시간(105°C) | |
작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 160mA @ 120Hz | |
임피던스 | 570m옴 | |
리드 간격 | 0.098"(2.50mm) | |
크기/치수 | 0.248" Dia(6.30mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.472"(12.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
표준 포장 | 200 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | UPJ1E680MED | |
관련 링크 | UPJ1E6, UPJ1E680MED 데이터 시트, Nichicon 에이전트 유통 |
APTM50DDA10T3G | MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3 | APTM50DDA10T3G.pdf | ||
5507000101(A8A1828) | 5507000101(A8A1828) AHA QFP | 5507000101(A8A1828).pdf | ||
M64-P 216PUAVA12FG | M64-P 216PUAVA12FG ATI BGA | M64-P 216PUAVA12FG.pdf | ||
CM5B2SCDN | CM5B2SCDN HG SMD or Through Hole | CM5B2SCDN.pdf | ||
NCV1117ST33T3G* | NCV1117ST33T3G* ORIGINAL SOT-223 | NCV1117ST33T3G*.pdf | ||
482026041 | 482026041 MOLEXELECTRONICS SMD or Through Hole | 482026041.pdf | ||
DF66U | DF66U BB SOP | DF66U.pdf | ||
74817-1039 | 74817-1039 FCI 48TUBE | 74817-1039.pdf | ||
CBT3251D | CBT3251D NXP SOP-16 | CBT3251D.pdf | ||
K9F1208D0B | K9F1208D0B SAMSUNG SMD or Through Hole | K9F1208D0B.pdf | ||
6FLR80S05 | 6FLR80S05 IR DO-4 | 6FLR80S05.pdf | ||
CNPWR120S | CNPWR120S ORIGINAL SMD or Through Hole | CNPWR120S.pdf |