창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UPD75P108BGF-562 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | UPD75P108BGF-562 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | QFP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | UPD75P108BGF-562 | |
| 관련 링크 | UPD75P108, UPD75P108BGF-562 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385268250JIM2T0 | 6800pF Film Capacitor 900V 2500V (2.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.276" W (26.00mm x 7.00mm) | MKP385268250JIM2T0.pdf | |
![]() | 416F270X2IAR | 27MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F270X2IAR.pdf | |
![]() | IXTA36N30T | MOSFET N-CH 300V 36A TO-263 | IXTA36N30T.pdf | |
| NS12555T220MN | 22µH Shielded Wirewound Inductor 3.81A 35.64 mOhm Max Nonstandard | NS12555T220MN.pdf | ||
![]() | ERA-8ARB4121V | RES SMD 4.12K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8ARB4121V.pdf | |
![]() | GMS90C52-GB057 | GMS90C52-GB057 HYUNDAI DIP40 | GMS90C52-GB057.pdf | |
![]() | G678110 53711SOCN7226666-1 | G678110 53711SOCN7226666-1 RAYTHEON CDIP28 | G678110 53711SOCN7226666-1.pdf | |
![]() | NJM2703RB2TVSP10PIN | NJM2703RB2TVSP10PIN ORIGINAL SMD or Through Hole | NJM2703RB2TVSP10PIN.pdf | |
![]() | 3216FF2.5-R | 3216FF2.5-R BUS 3216(1206) | 3216FF2.5-R.pdf | |
![]() | mv31455.2 | mv31455.2 SUNPLUS SMD | mv31455.2.pdf | |
![]() | XPC860SRZP50B3 | XPC860SRZP50B3 MOTOROLA BGA | XPC860SRZP50B3.pdf | |
![]() | PD600113 | PD600113 N/A QFP | PD600113.pdf |