창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-UPD75008CU186 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | UPD75008CU186 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | DIP | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | UPD75008CU186 | |
관련 링크 | UPD7500, UPD75008CU186 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
CBR02C908B8GAC | 0.90pF 10V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C908B8GAC.pdf | ||
04026Z104MAT2A | 0.10µF 6.3V 세라믹 커패시터 X7S 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04026Z104MAT2A.pdf | ||
BFP183(RHs) | BFP183(RHs) ORIGINAL SOT23-4 | BFP183(RHs).pdf | ||
SCD18D48-24.000MHZTR | SCD18D48-24.000MHZTR SUNTSU NA | SCD18D48-24.000MHZTR.pdf | ||
VJ1206Y103KXETM | VJ1206Y103KXETM VISHAY 1206 | VJ1206Y103KXETM.pdf | ||
M470T2864QZ3-CF7 (DDR2 1G/800 SO-DIMM) | M470T2864QZ3-CF7 (DDR2 1G/800 SO-DIMM) Samsung SMD or Through Hole | M470T2864QZ3-CF7 (DDR2 1G/800 SO-DIMM).pdf | ||
SBN1635T | SBN1635T GIE TO-220 | SBN1635T.pdf | ||
AD5855JP | AD5855JP AD PLCC | AD5855JP.pdf | ||
ADM6315-32D4ART-RL7 | ADM6315-32D4ART-RL7 AD SOT-143 | ADM6315-32D4ART-RL7.pdf | ||
OOW | OOW ST SOT323-6 | OOW.pdf | ||
U8448A-AF011AP | U8448A-AF011AP ORIGINAL DIP40 | U8448A-AF011AP.pdf | ||
AD558KP+ | AD558KP+ AD PLCC | AD558KP+.pdf |