창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UPB6101C108 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | UPB6101C108 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | UPB6101C108 | |
| 관련 링크 | UPB610, UPB6101C108 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | B43508A2567M87 | 560µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 210 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43508A2567M87.pdf | |
![]() | C0603C360G5GACTU | 36pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C360G5GACTU.pdf | |
![]() | 416F50025AAT | 50MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50025AAT.pdf | |
| SIS438DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 | SIS438DN-T1-GE3.pdf | ||
![]() | 1330-32J | 3.3µH Unshielded Inductor 285mA 850 mOhm Max 2-SMD | 1330-32J.pdf | |
![]() | LTR18EZPF3R30 | RES SMD 3.3 OHM 3/4W 1206 WIDE | LTR18EZPF3R30.pdf | |
![]() | GRM1555C1H240JZ01B | GRM1555C1H240JZ01B muRata SMD or Through Hole | GRM1555C1H240JZ01B.pdf | |
![]() | UPS842G | UPS842G ORIGINAL SOP8 | UPS842G.pdf | |
![]() | L4955D3.3 | L4955D3.3 TO- ST | L4955D3.3.pdf | |
![]() | ES3FBTR-13 | ES3FBTR-13 Microsemi SMD or Through Hole | ES3FBTR-13.pdf | |
![]() | ET-IK69V01E | ET-IK69V01E ET QFP | ET-IK69V01E.pdf | |
![]() | MAX15007AASA+ | MAX15007AASA+ MAXIM SMD or Through Hole | MAX15007AASA+.pdf |