창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UPA2821T1L-E1-AT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | uPA2821T1L | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 26A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 51nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2490pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-HWSON(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | UPA2821T1L-E1-AT | |
| 관련 링크 | UPA2821T1, UPA2821T1L-E1-AT 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
![]() | 93C47R SC27 | 93C47R SC27 AT SOP-8 | 93C47R SC27.pdf | |
![]() | 2206-RC | 2206-RC BOURNS DIP | 2206-RC.pdf | |
![]() | STP2232PBGA-100-5579-01L2A0735 | STP2232PBGA-100-5579-01L2A0735 SUN BGA | STP2232PBGA-100-5579-01L2A0735.pdf | |
![]() | DS1691AJ/883 5962-8672101EA | DS1691AJ/883 5962-8672101EA N/A CDIP | DS1691AJ/883 5962-8672101EA.pdf | |
![]() | LGSGM76C | LGSGM76C ORIGINAL DIP | LGSGM76C.pdf | |
![]() | 51039RG | 51039RG AD SSOP | 51039RG.pdf | |
![]() | G5E2596M-12 | G5E2596M-12 GTM TO-220-5L | G5E2596M-12.pdf | |
![]() | YG802C04R,Y | YG802C04R,Y FUJI SMD or Through Hole | YG802C04R,Y.pdf | |
![]() | ESW568M6R3AM5AA | ESW568M6R3AM5AA ARCOTRNIC DIP | ESW568M6R3AM5AA.pdf | |
![]() | LBAT54C | LBAT54C LRC SMD or Through Hole | LBAT54C.pdf | |
![]() | IDTQS3VH245 | IDTQS3VH245 IDT SSOP20 | IDTQS3VH245.pdf | |
![]() | 2N1711B | 2N1711B MOT CAN | 2N1711B.pdf |