Renesas Electronics America UPA2814T1S-E2-AT

UPA2814T1S-E2-AT
제조업체 부품 번호
UPA2814T1S-E2-AT
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON
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내부 부품 번호EIS-UPA2814T1S-E2-AT
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서uPA2814T1S-E2-AT
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Compliance
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Renesas Electronics America
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 4.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C24A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs7.8m옴 @ 24A, 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs74nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2800pF @ 10V
전력 - 최대1.5W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력WDFN
공급 장치 패키지8-HWSON(3.3x3.3)
표준 포장 5,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)UPA2814T1S-E2-AT
관련 링크UPA2814T1, UPA2814T1S-E2-AT 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통
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50MHz ±30ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F50035IAR.pdf
3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Enable/Disable SIT1602AIR7-33E.pdf
RES SMD 6.12K OHM 0.1% 3/8W 0603 PHP00603E6121BST1.pdf
RES 147 OHM 1/2W 0.1% AXIAL H4147RBZA.pdf
T74LS153DI SGS DIP T74LS153DI.pdf
GCM21BR11E334K MURATA SMD GCM21BR11E334K.pdf
AM29F800BB-NBE ADM SMD or Through Hole AM29F800BB-NBE.pdf
SC80C31BAGN40 MOT SMD or Through Hole SC80C31BAGN40.pdf
A5752D-A0G16-N P-TWO CONNECTOR A5752D-A0G16-N.pdf
192P561X9200 ORIGINAL SMD or Through Hole 192P561X9200.pdf
WAYNE N/A QFP-44L WAYNE.pdf
AD5560XSVUZ-1 AD TQFP64 AD5560XSVUZ-1.pdf