Renesas Electronics America UPA2812T1L-E2-AT

UPA2812T1L-E2-AT
제조업체 부품 번호
UPA2812T1L-E2-AT
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON
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내부 부품 번호EIS-UPA2812T1L-E2-AT
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서uPA2812T1L-E2-AT
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Compliance
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Renesas Electronics America
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 4.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C30A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.8m옴 @ 30A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs100nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3740pF @ 10V
전력 - 최대1.5W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력VDFN
공급 장치 패키지8-HWSON(3.3x3.3)
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)UPA2812T1L-E2-AT
관련 링크UPA2812T1, UPA2812T1L-E2-AT 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통
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