창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-UPA2812T1L-E1-AT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | UPA2812T1L Preliminary | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3740pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-HVSON(3x3.3) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | UPA2812T1L-E1-AT | |
관련 링크 | UPA2812T1, UPA2812T1L-E1-AT 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
AF0805JR-073K9L | RES SMD 3.9K OHM 5% 1/8W 0805 | AF0805JR-073K9L.pdf | ||
CFR-50JB-52-470R | RES 470 OHM 1/2W 5% AXIAL | CFR-50JB-52-470R.pdf | ||
NKN3WSJR-73-0R47 | RES 0.47 OHM 3W 5% AXIAL | NKN3WSJR-73-0R47.pdf | ||
MAX2032ETP+T | RF Mixer IC GSM, EDGE, CDMA Up/Down Converter 650MHz ~ 1GHz 20-TQFN-EP (5x5) | MAX2032ETP+T.pdf | ||
GMS30012-R202 | GMS30012-R202 LGS SMD | GMS30012-R202.pdf | ||
JS28F128P-30T85 | JS28F128P-30T85 N/A TSSOP | JS28F128P-30T85.pdf | ||
HT323-3-W5-A2 | HT323-3-W5-A2 ORIGINAL SMD or Through Hole | HT323-3-W5-A2.pdf | ||
1SS368--TPH3,F-Z11 | 1SS368--TPH3,F-Z11 TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SS368--TPH3,F-Z11.pdf | ||
BAL99 | BAL99 NXP/PBF SOT23-3 | BAL99.pdf | ||
PBL38101/R1 | PBL38101/R1 ERICSSON SSOP-44 | PBL38101/R1.pdf | ||
LCMXO640E-4MN100I | LCMXO640E-4MN100I Lattice BGA100 | LCMXO640E-4MN100I.pdf | ||
14-681-10%-JVR14N681 | 14-681-10%-JVR14N681 Joyin SMD or Through Hole | 14-681-10%-JVR14N681.pdf |