창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UNR52AFG0L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | UNR52AFG0L View all Specifications | |
| 주요제품 | Wearables Technology Components | |
| 카탈로그 페이지 | 1485 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 80mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-85 | |
| 공급 장치 패키지 | S미니3-F2 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | UNR52AFG0LTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | UNR52AFG0L | |
| 관련 링크 | UNR52A, UNR52AFG0L 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | 74476015C | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 340 mOhm Max Nonstandard | 74476015C.pdf | |
![]() | MNR18E0APJ300 | RES ARRAY 8 RES 30 OHM 1506 | MNR18E0APJ300.pdf | |
![]() | 100v684J | 100v684J EPCOS SMD or Through Hole | 100v684J.pdf | |
![]() | PI74FCT162Q245TA | PI74FCT162Q245TA PERICOM SMD or Through Hole | PI74FCT162Q245TA.pdf | |
![]() | Z80ASIO0 | Z80ASIO0 SGS SMD or Through Hole | Z80ASIO0.pdf | |
![]() | MB90F574APFV-G | MB90F574APFV-G FUJI QFP120 | MB90F574APFV-G.pdf | |
![]() | AM26C32INSRE4 | AM26C32INSRE4 TI SOP | AM26C32INSRE4.pdf | |
![]() | MA0603NPO390PF50V/391J | MA0603NPO390PF50V/391J HUIQIAO SMD or Through Hole | MA0603NPO390PF50V/391J.pdf | |
![]() | OD-8453N | OD-8453N NEC STOCK | OD-8453N.pdf | |
![]() | NCP1575 DR2 | NCP1575 DR2 ON SMD or Through Hole | NCP1575 DR2.pdf | |
![]() | 100123DMQB/Q | 100123DMQB/Q NS CDIP | 100123DMQB/Q.pdf |