창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UNR52A8G0L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | UNR52A8G0L View all Specifications | |
| 주요제품 | Wearables Technology Components | |
| 카탈로그 페이지 | 1485 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 80mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 510 | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 5.1k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-85 | |
| 공급 장치 패키지 | S미니3-F2 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | UNR52A8G0LTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | UNR52A8G0L | |
| 관련 링크 | UNR52A, UNR52A8G0L 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | RP73D1J84R5BTG | RES SMD 84.5 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RP73D1J84R5BTG.pdf | |
![]() | MOX-400231006FE | RES 100M OHM 3/4W 1% AXIAL | MOX-400231006FE.pdf | |
![]() | JZ2100A33PG | JZ2100A33PG JZ- SOT89-3 | JZ2100A33PG.pdf | |
![]() | IFR-3000(CD90-22350-1TR) | IFR-3000(CD90-22350-1TR) QUALCOMM SMD or Through Hole | IFR-3000(CD90-22350-1TR).pdf | |
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![]() | HD6305V0D46P | HD6305V0D46P HIT DIP-40 | HD6305V0D46P.pdf | |
![]() | IDT79RV64C475-200DP | IDT79RV64C475-200DP IDT QFP | IDT79RV64C475-200DP.pdf | |
![]() | MLF1005A1R2K | MLF1005A1R2K TDK SMD | MLF1005A1R2K.pdf | |
![]() | 450V330UF 30*40 | 450V330UF 30*40 ORIGINAL SMD or Through Hole | 450V330UF 30*40.pdf | |
![]() | TMDS442 | TMDS442 TI SMD or Through Hole | TMDS442.pdf | |
![]() | KAD2710L-10 | KAD2710L-10 NSC NULL | KAD2710L-10.pdf | |
![]() | PNX8019DEHN/C00 | PNX8019DEHN/C00 NXP QFN | PNX8019DEHN/C00.pdf |