창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UNR52A1G0L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | UNR52A1G0L View all Specifications | |
| 주요제품 | Wearables Technology Components | |
| 카탈로그 페이지 | 1485 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 80mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-85 | |
| 공급 장치 패키지 | S미니3-F2 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | UNR52A1G0LCT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | UNR52A1G0L | |
| 관련 링크 | UNR52A, UNR52A1G0L 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | 416F260X3ALR | 26MHz ±15ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F260X3ALR.pdf | |
![]() | 4604X-101-392LF | RES ARRAY 3 RES 3.9K OHM 4SIP | 4604X-101-392LF.pdf | |
![]() | M54648L-B | M54648L-B MIT SIP-12 | M54648L-B.pdf | |
![]() | 899-1CH-F-S-24VDC | 899-1CH-F-S-24VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | 899-1CH-F-S-24VDC.pdf | |
![]() | 2SK3027 | 2SK3027 PANASONIC TO-220 | 2SK3027.pdf | |
![]() | S1L9223B01-QOR0 | S1L9223B01-QOR0 SAMSUNG QFP80 | S1L9223B01-QOR0.pdf | |
![]() | MM5261D | MM5261D NSC DIP | MM5261D.pdf | |
![]() | S-1137A33-I6T2G | S-1137A33-I6T2G Seiko QFN | S-1137A33-I6T2G.pdf | |
![]() | LPO4812-152MLD | LPO4812-152MLD coilcraft SMT | LPO4812-152MLD.pdf | |
![]() | AT89LV51-15JC | AT89LV51-15JC ATMEL TSOP | AT89LV51-15JC.pdf | |
![]() | RN1103F(TE85L,F) | RN1103F(TE85L,F) TOSHIBA SMD or Through Hole | RN1103F(TE85L,F).pdf | |
![]() | MIC810RYC3 | MIC810RYC3 MIC SOT23-3 | MIC810RYC3.pdf |