창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UNR5113G0L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | UNR5113G0L View all Specifications | |
| 주요제품 | Wearables Technology Components | |
| 카탈로그 페이지 | 1485 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 47k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 80MHz | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-85 | |
| 공급 장치 패키지 | S미니3-F2 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | UNR5113G0LCT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | UNR5113G0L | |
| 관련 링크 | UNR511, UNR5113G0L 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
| FK16Y5V1E475Z | 4.7µF 25V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사 0.217" L x 0.138" W(5.50mm x 3.50mm) | FK16Y5V1E475Z.pdf | ||
| SI7113DN-T1-E3 | MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8 | SI7113DN-T1-E3.pdf | ||
![]() | CS9816S | CS9816S CS DIP-16 | CS9816S.pdf | |
![]() | MC-5848 | MC-5848 NEC SMD or Through Hole | MC-5848.pdf | |
![]() | 55622-0401 | 55622-0401 ORIGINAL SMD or Through Hole | 55622-0401.pdf | |
![]() | ECWH16683JV | ECWH16683JV PANASONIC SMD or Through Hole | ECWH16683JV.pdf | |
![]() | S-AV28 | S-AV28 TOSHIBA SMD or Through Hole | S-AV28.pdf | |
![]() | DZ1866Z | DZ1866Z MAXIM SOP | DZ1866Z.pdf | |
![]() | MM757C200WM | MM757C200WM NSC SOP | MM757C200WM.pdf | |
![]() | XC62FP30O2MR | XC62FP30O2MR TOREX SOT-23 | XC62FP30O2MR.pdf | |
![]() | RC0621M-390M-K-N | RC0621M-390M-K-N CHILISIN INDUCTORTOR | RC0621M-390M-K-N.pdf | |
![]() | EMVA201GTR680MMH0S | EMVA201GTR680MMH0S NIPPON SMD or Through Hole | EMVA201GTR680MMH0S.pdf |