창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UNR321000L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | UNR321000L View All Specifications | |
| 주요제품 | Wearables Technology Components | |
| 카탈로그 페이지 | 1486 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 47k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
| 전력 - 최대 | 100mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-723 | |
| 공급 장치 패키지 | SSS미니3-F1 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | UNR321000LTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | UNR321000L | |
| 관련 링크 | UNR321, UNR321000L 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | 416F25022CSR | 25MHz ±20ppm 수정 시리즈 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25022CSR.pdf | |
![]() | T356C106M010AS7305R1 | T356C106M010AS7305R1 KEMET SMD or Through Hole | T356C106M010AS7305R1.pdf | |
![]() | 1210 224K100V | 1210 224K100V taiyo SMD or Through Hole | 1210 224K100V.pdf | |
![]() | 201CHA100J | 201CHA100J TEMEX SMD or Through Hole | 201CHA100J.pdf | |
![]() | 88E8072-B1-NNC1 | 88E8072-B1-NNC1 MARVELL QFN | 88E8072-B1-NNC1.pdf | |
![]() | PT7M7811LF | PT7M7811LF PT SOT-143 | PT7M7811LF.pdf | |
![]() | MAX1881 | MAX1881 MAX TSSOP-24 | MAX1881.pdf | |
![]() | UPD784217AGF-252-3BA | UPD784217AGF-252-3BA NEC QFP | UPD784217AGF-252-3BA.pdf | |
![]() | 2SA733(C)-RTA | 2SA733(C)-RTA NEC SMD or Through Hole | 2SA733(C)-RTA.pdf | |
![]() | SCN2681A1CIN40 | SCN2681A1CIN40 PHILIPS DIP | SCN2681A1CIN40.pdf | |
![]() | TPS60243DGK | TPS60243DGK TI MSOP-8 | TPS60243DGK.pdf |